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                          micro-LED十六年發展歷程揭秘
                          編輯:清風 [ 2016-9-26 11:32:54 ] 文章來源:LED大屏網
                          LED顯示屏

                           LED技術已經發展了近三十年,最初只是作為一種新型固態照明光源,之后雖應用于顯示領域,卻依然只是幕后英雄——背光模組。如今,LED逐漸從幕后走向臺前,迎來最蓬勃發展的時期。如今它已多次出現在各種重要場合,在顯示領域扮演著越來越重要的角色。

                          ▲圖1 LED在 ①鳥巢 ②水立方 ③上海世博會上的應用

                          LED之所以能夠成為當前的關注焦點,主要歸功于它許多得天獨厚的優點。它不僅能夠自發光,尺寸小,重量輕,亮度高,更有著壽命更長,功耗更低,響應時間更快,及可控性更強的優點。這使得LED有著更廣闊的應用范圍,并由此誕生出更高科技的產品。

                          ▲圖2 LED 大尺寸顯示屏(分辨率較低)

                          ▲圖3 8×8 LED陣列與micro-LED陣列的對比

                          如今,LED大尺寸顯示屏已經投入應用于一些廣告或者裝飾墻等。然而其像素尺寸都很大,這直接影響了顯示圖像的細膩程度,當觀看距離稍近時其顯示效果差強人意。此時,micro-LED display 應運而生,它不僅有著LED的所有優勢,還有著明顯的高分辨率及便攜性等特點。

                          當前micro-LED display的發展主要有兩種趨勢。一個是索尼公司的主攻方向——小間距大尺寸高分辨率的室內/外顯示屏。另一種則是蘋果公司正在推出的可穿戴設備(如 Apple Watch),該類設備的顯示部分要求分辨率高、便攜性強、功耗低亮度高,而這些正是micro-LED的優勢所在。

                          Micro-LED display 已經發展了十數年,期間世界上多個項目組發布成果并促進著相關技術進一步發展。例如,2001年日本Satoshi Takano團隊公布了他們的研究的一組micro-LED陣列。

                          該陣列采用無源驅動方式,且使用打線連接像素與驅動電路,并將紅綠藍三個LED芯片放置在同一個硅反射器上,通過RGB的方式實現彩色化。該陣列雖初見成效,但也有著不容忽視的缺點,其分辨率與可靠性都還很低,不同LED的正向導通電壓差別比較大。

                          同年,H. X. Jiang團隊也同樣做出了一個無源矩驅動的10×10 micro-LED array。這個陣列創新性的使用四個公共n電極和100個獨立p電極。并采用復雜的版圖設計以盡量最優化連線布局。雖然顯示效果有一定的進步,但沒有解決集成能力低的問題。

                          ▲圖4 H. X. Jiang團隊的10×10 陣列連線布局

                          另一個比較突出的成果是在2006年由香港科技大學團隊公布的。同樣采用無源驅動,使用倒裝焊技術集成Micro-LED 陣列[3]。但是同一行像素的正向導通電壓也差別比較大,而且當該列亮起的像素數目不同時,像素的亮度也會受到影響,亮度的均勻性還不夠好。

                          ▲圖5 香港科技大學團隊成果展示

                          2008年,Z. Y. Fan團隊公布另一個無源驅動的120×120的微陣列,其芯片尺寸為3.2mm×3.2mm,像素尺寸為20×12μm,像素間隔為22μm。尺寸方面已經明顯得到優化,但是,依然需要大量的打線,版圖布局仍然十分復雜。

                          而同年Z. Gong團隊公布的微陣列,依然采用無源矩陣驅動,并使用倒裝焊技術集成。該團隊做出了藍光(470nm)micro-LED陣列和UV micro-LED(370nm)陣列,并成功通過UV LED陣列激發了綠光和紅光量子點證明了量子點彩色化方式的可行性。

                          ▲圖6 UV micro-LED 陣列

                          ▲ 圖7 Micro-LED 陣列與Si-CMOS的集成

                          此外,在該年,B. R. Rae 團隊成功集成了 Si-CMOS 電路,該電路可為UV LED提供合適的電脈沖信號,并集成了SPAS (single photo avalanche diode )探測器,主要應用于在便攜式熒光壽命讀寫器。然而其驅動能力比較弱,且工作電壓很高。

                          2009年,香港科技大學Z. J. Liu所在團隊利用UV micro-LED陣列激發紅綠藍三色熒光粉,得到了全彩色的微LED顯示芯片。2010年該團隊分別利用紅綠藍三種LED外延片制備出360 PPI的微LED顯示芯片[8],并把三個芯片集成在一起實現了世界上首個去背光源化的全彩色微LED投影機。

                            

                            ▲圖8 世界上首個去背光源的全彩色micro-LED投影機

                          之后,Z. J. Liu所在的香港科技大學團隊與中山大學團隊合力將微LED顯示的分辨率提高到1700 PPI,像素點距縮小到12微米,采用無源選址方式+倒裝焊封裝技術[10]。與此同時他們還成功制備出分辨率為846 PPI的WQVGA 有源選址微LED顯示芯片,并在該芯片中集成了光通訊功能。

                          ▲圖9 1700 PPI micro-LED微顯示芯片

                          這些僅是micro-LED發展歷史中比較重要的一些成果。之后,關于micro-LED的探索不斷深入,更多的進展不斷被公布,包括進一步減小尺寸,提高亮度的均勻性等,關于其驅動方式,制備工藝及彩色化的實現等方面也有著諸多討論,這些將在后續系列中進行介紹。

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