硅基氮化鎵生長設備AIX G5+榮膺MOCVD設備類最佳效能獎

　　愛思強股份有限公司近日宣布，旗下硅基氮化鎵技術AIX G5+憑借出色的生產效率和先進的技術，在2013年6月11日舉行的2013年LEDinside極光獎頒獎典禮上榮獲“MOCVD設備類最佳效能獎”。早前，該系統剛于今年3月榮獲CS Industry Award獎項。

　　“利用200毫米硅基材生產氮化鎵基LED以降低芯片生產成本，是未來的發展趨勢�！盇IXTRON愛思強首席技術官Andreas T?nnis表示，“此次獲獎是AIXTRON愛思強在短短幾個月內第二次獲得嘉獎，再次體現了我們與客戶密切合作及高度的研發創新能力�！�

　　憑借AIX G5+技術，AIXTRON愛思強已為其現有硅基氮化鎵設備生長設備AIX G5 HT推出全新的5 x 200毫米技術套裝，打造了業內最大的200毫米多片晶圓MOCVD反應器。美國Transphorm公司等制造商將利用AIXTRON愛思強在硅基氮化鎵方面的先進專長，實現從直徑150毫米晶圓向200毫米晶圓的過渡，充分運用AIX G5+帶來的規模效益提升其生產效率。

　　G5+反應器搭載了多項全新功能，包括經改良的溫控技術、新的進氣口和腔室重置功能，攻克了硅基氮化鎵MOCVD工藝的傳統難題。通過這些全新的功能和專設的對稱旋轉模式，最大地降低了晶圓的翹曲度和消除了所謂的回熔(melt back)效應，從而實現最高的工藝穩定性和晶圓均勻性。